• česky
  • english
Přejít na obsah | Přejít na menu

Informační systém výzkumu, experimentálního vývoje a inovací
výzkum, vývoj a inovace podporované z veřejných prostředků ČR

    • Poskytovatelé podpory ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPO)
    • Programy výzkumu, vývoje a inovací (RPG)
    • Subjekty ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPR)
  • Veřejné soutěže ve výzkumu, vývoji a inovacích (VES)
  • Projekty výzkumu, vývoje a inovací (CEP)
  • Výzkumné záměry (CEZ)
  • Výsledky výzkumu, vývoje a inovací (RIV)

RIV/68407700:21230/09:00156565 - The Radiation Enhanced Diffusion (RED) Diode Realization of a Large Area p+p-n-n+ Structure with High SOA (2009)

Údaje o výsledku
Identifikační kódRIV/68407700:21230/09:00156565
Název v původním jazyceThe Radiation Enhanced Diffusion (RED) Diode Realization of a Large Area p+p-n-n+ Structure with High SOA
DruhD - Článek ve sborníku
Jazykeng - angličtina
OborJA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Rok uplatnění2009
Kód důvěrnosti údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Počet výskytů výsledku1
Tvůrci výsledku
Počet tvůrců celkem5
Počet domácích tvůrců2
TvůrceVobecký Jan (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce; G - garant výsledku)
TvůrceZáhlava Vít (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
Údaje blíže specifikující výsledek
Popis v původním jazyceWe introduce a fully functional high voltage and high current p+p-n-n+ diode based on Radiation Enhanced Diffusion (RED) technology. The diode was processed on a 100 mm wafer and can safely turn off 4 and 7 kA @ 140oC @ 1500 A/us for the diameters of 51 and 91 mm, resp. The RED diode has low leakage, excellent SOA capability under free-wheeling conditions, very good softness, and very high SOA with di/dt towards 10kA/us. Clamp-less operation is presented up to 1300 A with peak power above 15 MW at 125 oC for the 91 mm diodes.
Klíčová slovasilicon diode
Název sborníkuProceedings of 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
ISSN1943-653X
Počet stran výsledku4
Název nakladateleIEEE
Místo vydáníPiscataway
Místo konání akceBarcelona
Datum zahájení akce14.6.2009
Typ akce podle státní příslušnoti účastníkůWRD - Světová
Údaje o tomto záznamu o výsledku
PředkladatelČeské vysoké učení technické v Praze / Fakulta elektrotechnická
DodavatelMSM - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy (MŠMT)
Rok sběru2010
Systémové označení dodávky datRIV10-MSM-21230___/01:1
Datum dodání27.5.2010
SpecifikaceRIV/68407700:21230/09:00156565!RIV10-MSM-21230___
Kontrolní kód[27BD0FF0E6FA]
Jiný výskyt tohoto výsledku se v RIV nenachází
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
ProjektLC06041 - Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením (2006-2011, MSM/LC)
Výzkumný záměrMSM6840770017 - Rozvoj, spolehlivost a bezpečnost elektroenergetických systémů (2005-2011, MSM)
Tuto aplikaci pro Radu pro výzkum, vývoj a inovace provozuje Výpočetní a informační centrum Českého vysokého učení technického v Praze. Vyvíjí InfoScience Praha s.r.o.. Verze aplikace 1.6.15. Datové schéma ISVAV_WEB5_00318. Podpora uživatelů na e-mailové adrese podpora (zavináč) isvav (tečka) cz nebo telefonním čísle 224 234 797 (v pracovních dnech 8-16 hod.).