• česky
  • english

RIV/68378271:_____/97:02970318 - High field transport in semi-insulating GaAs: A promising material for solid-state detectors. (1997)

Údaje o výsledku
Identifikační kódRIV/68378271:_____/97:02970318
Název v původním jazyceHigh field transport in semi-insulating GaAs: A promising material for solid-state detectors.
DruhJ - Článek v odborném periodiku
Jazykeng - angličtina
OborBE - Teoretická fyzika
Rok uplatnění1997
Kód důvěrnosti údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Počet výskytů výsledku1
Tvůrci výsledku
Počet tvůrců celkem6
Počet domácích tvůrců4
TvůrceMareš Jiří J. (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce; G - garant výsledku)
TvůrceKrištofik Jozef (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceHubík Pavel (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceJurek Karel (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrcePospíšil S. (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
TvůrceKubašta J. (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
Údaje blíže specifikující výsledek
Popis v původním jazyceAnnotation not available
Název periodkaJournal Applied Physics
ISSN0021-8979
Strana od3358
Svazek periodika82
Číslo periodika v rámci uvedeného svazku7
Stát vydavatele periodikaUS - Spojené státy americké
Počet stran výsledku5
Údaje o tomto záznamu o výsledku
PředkladatelFyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
DodavatelAV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR)
Rok sběru2001
Systémové označení dodávky datRIV/2001/AV0/A02001/N/2:3
Datum dodání2001
SpecifikaceRIV/68378271:_____/97:02970318!RIV/2001/AV0/A02001/N
Kontrolní kód[B5AD205FF270]
Jiný výskyt tohoto výsledku se v RIV nenachází
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
ProjektGA202/94/0901 - Vývoj detektorů záření založených na III-V polovodičových materiálech. (1994-1996, GA0/GA)
ProjektGA202/96/0021 - Vázané elektronové stavy v polovodičích A III B V způsobené defekty (1996-1998, GA0/GA)