• česky
  • english
Přejít na obsah | Přejít na menu

Informační systém výzkumu, experimentálního vývoje a inovací
výzkum, vývoj a inovace podporované z veřejných prostředků ČR

    • Poskytovatelé podpory ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPO)
    • Programy výzkumu, vývoje a inovací (RPG)
    • Subjekty ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPR)
  • Veřejné soutěže ve výzkumu, vývoji a inovacích (VES)
  • Projekty výzkumu, vývoje a inovací (CEP)
  • Výzkumné záměry (CEZ)
  • Výsledky výzkumu, vývoje a inovací (RIV)

RIV/68378271:_____/10:00347762 - Role of the tip induced local anodic oxidation in the conductive atomic force microscopy of mixed phase silicon thin films (2010)

Údaje o výsledku
Identifikační kódRIV/68378271:_____/10:00347762
Název v původním jazyceRole of the tip induced local anodic oxidation in the conductive atomic force microscopy of mixed phase silicon thin films
DruhJ - Článek v odborném periodiku
Jazykeng - angličtina
OborBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Rok uplatnění2010
Kód důvěrnosti údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Počet výskytů výsledku2
Tvůrci výsledku
Počet tvůrců celkem6
Počet domácích tvůrců6
TvůrceVetushka Aliaksi (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce; G - garant výsledku)
TvůrceFejfar Antonín (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceLedinský Martin (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceRezek Bohuslav (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceStuchlík Jiří (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceKočka Jan (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
Údaje blíže specifikující výsledek
Popis v původním jazyceWe show that local currents observed by the Conductive Atomic Force Microscopy (C-AFM) of silicon thin films measured in ambient atmosphere are generally limited by surface oxide, either native or created by the measurement itself in a process of Local Anodic Oxidation (LAO), as evidenced by observed topographic changes of Si surface. The tip-induced LAO changes the character of the local current maps in repeated scans or even in the first scan of a pristine surface. In particular, the oxidation of the neighboring scan lines leads to the appearance of grain edges as conductive rings. Finally, we have used brief HF acid etch to strip the oxide in order to restore the contrast in the C-AFM maps of aged samples and we compare the observed local current levels to those observed in ultra-high vacuum C-AFM on in-situ deposited samples.
Klíčová slovalocal anodic oxidation (LAO); conductive atomic force microscopy (C-AFM)
Název periodkaPhysica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics
ISSN1862-6351
Svazek periodika7
Číslo periodika v rámci uvedeného svazku3-4
Stát vydavatele periodikaDE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku4
Údaje o tomto záznamu o výsledku
PředkladatelFyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
DodavatelAV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR)
Rok sběru2011
Systémové označení dodávky datRIV11-AV0-68378271/01:1
Datum dodání30.5.2011
SpecifikaceRIV/68378271:_____/10:00347762!RIV11-AV0-68378271
Kontrolní kód[B89ACEBEBA29]
Další výskyty tohoto výsledku od stejného předkladatele
Dodáno MŠMT v roce 2011Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/10:00347762 v dodávce dat RIV11-MSM-68378271/01:1
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
ProjektIAA100100902 - Studium ultrarychlé vodivosti a transportu náboje v tenkých polovodivých vrstvách pomocí terahertzové spektroskopie (2009-2011, AV0/IA)
ProjektKAN400100701 - Funkční hybridní nanosystémy polovodičů a kovů s organickými látkami (FUNS) (2007-2011, AV0/KA)
ProjektLC06040 - Struktury pro nanofotoniku a nanoelektroniku (2006-2011, MSM/LC)
ProjektLC510 - Centrum nanotechnologií a materiálů pro nanoelektroniku (2005-2011, MSM/LC)
Výzkumný záměrAV0Z10100521 - Fyzikální vlastnosti a příprava nanostruktur, povrchů a tenkých vrstev (2005-2011, AV0)
Tuto aplikaci pro Radu pro výzkum, vývoj a inovace provozuje Výpočetní a informační centrum Českého vysokého učení technického v Praze. Vyvíjí InfoScience Praha s.r.o.. Verze aplikace 1.6.15. Datové schéma ISVAV_WEB5_00305. Podpora uživatelů na e-mailové adrese podpora (zavináč) isvav (tečka) cz nebo telefonním čísle 224 234 797 (v pracovních dnech 8-16 hod.).