• česky
  • english
Přejít na obsah | Přejít na menu

Informační systém výzkumu, experimentálního vývoje a inovací
výzkum, vývoj a inovace podporované z veřejných prostředků ČR

    • Poskytovatelé podpory ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPO)
    • Programy výzkumu, vývoje a inovací (RPG)
    • Subjekty ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPR)
  • Veřejné soutěže ve výzkumu, vývoji a inovacích (VES)
  • Projekty výzkumu, vývoje a inovací (CEP)
  • Výzkumné záměry (CEZ)
  • Výsledky výzkumu, vývoje a inovací (RIV)

RIV/68378271:_____/09:00337468 - Local electrostatic charging of semiconductor thin films (2009)

Údaje o výsledku
Identifikační kódRIV/68378271:_____/09:00337468
Název v původním jazyceLocal electrostatic charging of semiconductor thin films
DruhD - Článek ve sborníku
Jazykeng - angličtina
OborBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Rok uplatnění2009
Kód důvěrnosti údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Počet výskytů výsledku3
Tvůrci výsledku
Počet tvůrců celkem4
Počet domácích tvůrců4
TvůrceVerveniotis Elisseos (státní příslušnost: GR - Řecká republika; A - domácí tvůrce; G - garant výsledku)
TvůrceČermák Jan (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceKromka Alexander (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceRezek Bohuslav (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
Údaje blíže specifikující výsledek
Popis v původním jazyceIn this study we examine local electrostatic charging of semiconductor thin films.
Klíčová slovaelectrostatic charging; nanocrystalline diamond; AFM; KFM
Název sborníkuWDS'09 Proceedings of Contributed Papers
ISBN978-80-7378-103-3
Počet stran výsledku5
Název nakladateleMatfyzpress
Místo vydáníPrague
Místo konání akcePraha
Datum zahájení akce2.6.2009
Typ akce podle státní příslušnoti účastníkůEUR - Evropská
Údaje o tomto záznamu o výsledku
PředkladatelFyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
DodavatelAV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR)
Rok sběru2010
Systémové označení dodávky datRIV10-AV0-68378271/01:1
Datum dodání26.5.2010
SpecifikaceRIV/68378271:_____/09:00337468!RIV10-AV0-68378271
Kontrolní kód[2C7251DF3125]
Další výskyty tohoto výsledku od stejného předkladatele
Dodáno GA ČR v roce 2010Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/09:00337468 v dodávce dat RIV10-GA0-68378271/01:1
Dodáno MŠMT v roce 2010Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/09:00337468 v dodávce dat RIV10-MSM-68378271/01:1
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
ProjektGD202/09/H041 - Fyzika nanostruktur (2009-2012, GA0/GD)
ProjektKAN400100701 - Funkční hybridní nanosystémy polovodičů a kovů s organickými látkami (FUNS) (2007-2011, AV0/KA)
ProjektLC06040 - Struktury pro nanofotoniku a nanoelektroniku (2006-2011, MSM/LC)
ProjektLC510 - Centrum nanotechnologií a materiálů pro nanoelektroniku (2005-2011, MSM/LC)
Výzkumný záměrAV0Z10100521 - Fyzikální vlastnosti a příprava nanostruktur, povrchů a tenkých vrstev (2005-2011, AV0)
Tuto aplikaci pro Radu pro výzkum, vývoj a inovace provozuje Výpočetní a informační centrum Českého vysokého učení technického v Praze. Vyvíjí InfoScience Praha s.r.o.. Verze aplikace 1.6.15. Datové schéma ISVAV_WEB5_00306. Podpora uživatelů na e-mailové adrese podpora (zavináč) isvav (tečka) cz nebo telefonním čísle 224 234 797 (v pracovních dnech 8-16 hod.).