RIV/68378271:_____/09:00336033 - Microscopic mechanism of the noncrystalline anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As (2009)
| Údaje o výsledku | |
| Identifikační kód | RIV/68378271:_____/09:00336033 |
| Název v původním jazyce | Microscopic mechanism of the noncrystalline anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As |
| Druh | J - Článek v odborném periodiku |
| Jazyk | eng - angličtina |
| Obor | BM - Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Rok uplatnění | 2009 |
| Kód důvěrnosti údajů | S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů |
| Počet výskytů výsledku | 2 |
| Tvůrci výsledku | |
| Počet tvůrců celkem | 6 |
| Počet domácích tvůrců | 3 |
| Tvůrce | Výborný Karel (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce; G - garant výsledku) |
| Tvůrce | Kučera Jan (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce) |
| Tvůrce | Sinova J. (státní příslušnost: US - Spojené státy americké) |
| Tvůrce | Rushforth A. W. (státní příslušnost: GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska) |
| Tvůrce | Gallagher B. L. (státní příslušnost: GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska) |
| Tvůrce | Jungwirth Tomáš (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce) |
| Údaje blíže specifikující výsledek | |
| Popis v původním jazyce | Starting with a microscopic model based on the Kohn-Luttinger Hamiltonian and kinetic p-d exchange combined with Boltzmann formula for conductivity we identify the scattering from magnetic Mn combined with the strong spin-orbit interaction of the GaAs valence band as the dominant mechanism of the anisotropic magnetoresistance (AMR) in (Ga,Mn)As. This fact allows to construct a simple analytical model of the AMR consisting of two heavy-hole bands whose charge carriers are scattered on the impurity potential of the Mn atoms. The model predicts the correct sign of the AMR (resistivity parallel to magnetization is smaller than perpendicular to magnetization) and identifies its origin arising from the destructive interference between electric and magnetic part of the scattering potential of magnetic ionized Mn acceptors when the carriers move parallel to the magnetization. |
| Klíčová slova | anisotropic magnetoresistance; diluted magnetic semiconductors |
| Kód UT ISI | 000271352100072 |
| Název periodka | Physical Review. B |
| ISSN | 1098-0121 |
| Svazek periodika | 80 |
| Číslo periodika v rámci uvedeného svazku | 16 |
| Stát vydavatele periodika | US - Spojené státy americké |
| Počet stran výsledku | 8 |
| Údaje o tomto záznamu o výsledku | |
| Předkladatel | Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. |
| Dodavatel | AV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR) |
| Rok sběru | 2010 |
| Systémové označení dodávky dat | RIV10-AV0-68378271/01:1 |
| Datum dodání | 26.5.2010 |
| Specifikace | RIV/68378271:_____/09:00336033!RIV10-AV0-68378271 |
| Kontrolní kód | [A5E9789B0D82] |
| Další výskyty tohoto výsledku od stejného předkladatele | |
| Dodáno GA ČR v roce 2010 | Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/09:00336033 v dodávce dat RIV10-GA0-68378271/01:1 |
| Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl | |
| Projekt | GEFON/06/E002 - Spinově koherentní transport v kvantových nanostrukturách (2006-2009, GA0/GE) |
| Projekt | KAN400100652 - Struktury pro spintroniku a kvantové jevy v nanoelektronice vytvořené elektronovou litografií (2006-2010, AV0/KA) |
| Projekt | KJB100100802 - Mikroskopické mechanizmy mimořádných magnetorezistenčních jevů (2008-2010, AV0/KJ) |
| Výzkumný záměr | AV0Z10100521 - Fyzikální vlastnosti a příprava nanostruktur, povrchů a tenkých vrstev (2005-2011, AV0) |
Tuto aplikaci pro Radu pro výzkum, vývoj a inovace provozuje Výpočetní a informační centrum Českého vysokého učení technického v Praze. Vyvíjí InfoScience Praha s.r.o.. Verze aplikace 1.6.15. Datové schéma ISVAV_WEB5_00318.
Podpora uživatelů na e-mailové adrese 
nebo telefonním čísle 224 234 797 (v pracovních dnech 8-16 hod.).
nebo telefonním čísle 224 234 797 (v pracovních dnech 8-16 hod.).