• česky
  • english
Přejít na obsah | Přejít na menu

Informační systém výzkumu, experimentálního vývoje a inovací
výzkum, vývoj a inovace podporované z veřejných prostředků ČR

    • Poskytovatelé podpory ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPO)
    • Programy výzkumu, vývoje a inovací (RPG)
    • Subjekty ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPR)
  • Veřejné soutěže ve výzkumu, vývoji a inovacích (VES)
  • Projekty výzkumu, vývoje a inovací (CEP)
  • Výzkumné záměry (CEZ)
  • Výsledky výzkumu, vývoje a inovací (RIV)

RIV/68378271:_____/00:02000334 - Interfernce laser crystallization of microcrystalline silicon using asymmetric beam intensities. (2000)

Údaje o výsledku
Identifikační kódRIV/68378271:_____/00:02000334
Název v původním jazyceInterfernce laser crystallization of microcrystalline silicon using asymmetric beam intensities.
DruhJ - Článek v odborném periodiku
Jazykeng - angličtina
OborBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Rok uplatnění2000
Kód důvěrnosti údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Počet výskytů výsledku3
Tvůrci výsledku
Počet tvůrců celkem3
Počet domácích tvůrců1
TvůrceRezek Bohuslav (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce; G - garant výsledku)
TvůrceNebel C. M. (státní příslušnost: DE - Spolková republika Německo)
TvůrceStutzmann M. (státní příslušnost: DE - Spolková republika Německo)
Údaje blíže specifikující výsledek
Popis v původním jazycePeriodic interference patterns formed by two laser beams of different intensities are used to crystallize films of amorphous and crystalline silicon with nanometer sized crystallites.
Klíčová slovaN/A
Název periodkaJournal of Non-Crystalline Solids
Rozsah stran650;653
ISSN0022-3093
Svazek periodika266-269
Číslo periodika v rámci uvedeného svazkuN/A
Stát vydavatele periodikaNL - Nizozemské království
Počet stran výsledku4
Údaje o tomto záznamu o výsledku
PředkladatelFyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
DodavatelAV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR)
Rok sběru2003
Systémové označení dodávky datRIV/2003/AV0/A02003/N/2:2
Datum dodání4.3.2004
SpecifikaceRIV/68378271:_____/00:02000334!RIV/2003/AV0/A02003/N
Kontrolní kód[22B0028495F9]
Další výskyty tohoto výsledku od stejného předkladatele
Dodáno AV ČR v roce 2001Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/00:02000334 v dodávce dat RIV/2001/AV0/A02001/N/2:3
Dodáno GA ČR v roce 2001Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/00:02000334 v dodávce dat RIV/2001/GA0/A02001/N/2:2
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
ProjektGA202/98/0669 - Nanostrukturní polovodičové materiály - zdokonalení technologie, cílené změny elektronických a optických vlastností (1998-2000, GA0/GA)
ProjektIAA1010809 - Diagnostika nekrystalického křemíku s nanometrovým a femtosekundovým rozlišením (1998-2002, AV0/IA)
Výzkumný záměrAV0Z1010914 - Experimentální a teoretický výzkum kondenzovaných systémů s význačnými fyzikálními vlastnostmi (1999-2004, AV0)
Tuto aplikaci pro Radu pro výzkum, vývoj a inovace provozuje Výpočetní a informační centrum Českého vysokého učení technického v Praze. Vyvíjí InfoScience Praha s.r.o.. Verze aplikace 1.6.15. Datové schéma ISVAV_WEB5_00302. Podpora uživatelů na e-mailové adrese podpora (zavináč) isvav (tečka) cz nebo telefonním čísle 224 234 797 (v pracovních dnech 8-16 hod.).