| Údaje o výsledku | |
| Identifikační kód | RIV/68378271:_____/00:02000333 |
| Název v původním jazyce | Anisotropic carrier transport in preferentially oriented polycrystalline silicon films fabricated by very-high-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition using fluorinated source gas. |
| Druh | J - Článek v odborném periodiku |
| Jazyk | eng - angličtina |
| Obor | BM - Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Rok uplatnění | 2000 |
| Kód důvěrnosti údajů | S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů |
| Počet výskytů výsledku | 3 |
| Tvůrci výsledku | |
| Počet tvůrců celkem | 7 |
| Počet domácích tvůrců | 3 |
| Tvůrce | Nakahata K. (státní příslušnost: JP - Japonsko) |
| Tvůrce | Kamiya T. (státní příslušnost: JP - Japonsko) |
| Tvůrce | Fortmann C. M. (státní příslušnost: JP - Japonsko) |
| Tvůrce | Shimizu I. (státní příslušnost: JP - Japonsko) |
| Tvůrce | Stuchlíková Hana (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce; G - garant výsledku) |
| Tvůrce | Fejfar Antonín (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce) |
| Tvůrce | Kočka Jan (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce) |
| Údaje blíže specifikující výsledek | |
| Popis v původním jazyce | Structural and transport anisotropy of low temperature polycrystalline silicon were studied. Poly-Si films with (220) preferential orientation were fabricated by very-high-frequency chemical vapor deposition from SiF4 and H2 mixtures. |
| Klíčová slova | N/A |
| Název periodka | Journal of Non-Crystalline Solids |
| Rozsah stran | 341;346 |
| ISSN | 0022-3093 |
| Svazek periodika | 266-269 |
| Číslo periodika v rámci uvedeného svazku | N/A |
| Stát vydavatele periodika | NL - Nizozemské království |
| Počet stran výsledku | 6 |
| Údaje o tomto záznamu o výsledku | |
| Předkladatel | Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. |
| Dodavatel | AV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR) |
| Rok sběru | 2003 |
| Systémové označení dodávky dat | RIV/2003/AV0/A02003/N/2:2 |
| Datum dodání | 4.3.2004 |
| Specifikace | RIV/68378271:_____/00:02000333!RIV/2003/AV0/A02003/N |
| Kontrolní kód | [5EDACEFD8057] |
| Další výskyty tohoto výsledku od stejného předkladatele | |
| Dodáno AV ČR v roce 2001 | Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/00:02000333 v dodávce dat RIV/2001/AV0/A02001/N/2:3 |
| Dodáno GA ČR v roce 2001 | Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/00:02000333 v dodávce dat RIV/2001/GA0/A02001/N/2:2 |
| Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl | |
| Projekt | GA202/98/0669 - Nanostrukturní polovodičové materiály - zdokonalení technologie, cílené změny elektronických a optických vlastností (1998-2000, GA0/GA) |
| Projekt | IAA1010809 - Diagnostika nekrystalického křemíku s nanometrovým a femtosekundovým rozlišením (1998-2002, AV0/IA) |
| Výzkumný záměr | AV0Z1010914 - Experimentální a teoretický výzkum kondenzovaných systémů s význačnými fyzikálními vlastnostmi (1999-2004, AV0) |