• česky
  • english

RIV/68378271:_____/00:02000333 - Anisotropic carrier transport in preferentially oriented polycrystalline silicon films fabricated by very-high-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition using fluorinated source gas. (2000)

Údaje o výsledku
Identifikační kódRIV/68378271:_____/00:02000333
Název v původním jazyceAnisotropic carrier transport in preferentially oriented polycrystalline silicon films fabricated by very-high-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition using fluorinated source gas.
DruhJ - Článek v odborném periodiku
Jazykeng - angličtina
OborBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Rok uplatnění2000
Kód důvěrnosti údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Počet výskytů výsledku3
Tvůrci výsledku
Počet tvůrců celkem7
Počet domácích tvůrců3
TvůrceNakahata K. (státní příslušnost: JP - Japonsko)
TvůrceKamiya T. (státní příslušnost: JP - Japonsko)
TvůrceFortmann C. M. (státní příslušnost: JP - Japonsko)
TvůrceShimizu I. (státní příslušnost: JP - Japonsko)
TvůrceStuchlíková Hana (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce; G - garant výsledku)
TvůrceFejfar Antonín (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceKočka Jan (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
Údaje blíže specifikující výsledek
Popis v původním jazyceStructural and transport anisotropy of low temperature polycrystalline silicon were studied. Poly-Si films with (220) preferential orientation were fabricated by very-high-frequency chemical vapor deposition from SiF4 and H2 mixtures.
Klíčová slovaN/A
Název periodkaJournal of Non-Crystalline Solids
Rozsah stran341;346
ISSN0022-3093
Svazek periodika266-269
Číslo periodika v rámci uvedeného svazkuN/A
Stát vydavatele periodikaNL - Nizozemské království
Počet stran výsledku6
Údaje o tomto záznamu o výsledku
PředkladatelFyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
DodavatelAV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR)
Rok sběru2003
Systémové označení dodávky datRIV/2003/AV0/A02003/N/2:2
Datum dodání4.3.2004
SpecifikaceRIV/68378271:_____/00:02000333!RIV/2003/AV0/A02003/N
Kontrolní kód[5EDACEFD8057]
Další výskyty tohoto výsledku od stejného předkladatele
Dodáno AV ČR v roce 2001Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/00:02000333 v dodávce dat RIV/2001/AV0/A02001/N/2:3
Dodáno GA ČR v roce 2001Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/00:02000333 v dodávce dat RIV/2001/GA0/A02001/N/2:2
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
ProjektGA202/98/0669 - Nanostrukturní polovodičové materiály - zdokonalení technologie, cílené změny elektronických a optických vlastností (1998-2000, GA0/GA)
ProjektIAA1010809 - Diagnostika nekrystalického křemíku s nanometrovým a femtosekundovým rozlišením (1998-2002, AV0/IA)
Výzkumný záměrAV0Z1010914 - Experimentální a teoretický výzkum kondenzovaných systémů s význačnými fyzikálními vlastnostmi (1999-2004, AV0)