• česky
  • english

RIV/68378271:_____/00:02000032 - Temperature behavior of optical properties of Si + - implanted SiO 2 . (2000)

Údaje o výsledku
Identifikační kódRIV/68378271:_____/00:02000032
Název v původním jazyceTemperature behavior of optical properties of Si + - implanted SiO 2 .
DruhJ - Článek v odborném periodiku
Jazykeng - angličtina
OborBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Rok uplatnění2000
Kód důvěrnosti údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Počet výskytů výsledku3
Tvůrci výsledku
Počet tvůrců celkem10
Počet domácích tvůrců4
TvůrceValenta J. (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
TvůrceDian J. (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
TvůrceLuterová Kateřina (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce; G - garant výsledku)
TvůrceKnápek Petr (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrcePelant Ivan (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceNikl Martin (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceMuller D. (státní příslušnost: FR - Francouzská republika)
TvůrceGrob J. J. (státní příslušnost: FR - Francouzská republika)
TvůrceRehspringer J. L. (státní příslušnost: FR - Francouzská republika)
TvůrceHönerlage B. (státní příslušnost: FR - Francouzská republika)
Údaje blíže specifikující výsledek
Popis v původním jazyceSilicon nanocrystals were prepared by Si+-ion implantation and subswquent annealing of SiO2 films thermally grown on a c-Si wafer. It is shown that all PL characteristics (eficiency, dynamics, temperature dependence, excitaqtion spectra) of the Si+-implanted SiO2 films bear close resemblance to those of a light-emitting porous Si and therefore are supposed similar PL origin in both materials.
Klíčová slovaN/A
Název periodkaEuropean Physical Journal. D
Rozsah stran395;398
ISSN1434-6060
Svazek periodika8
Číslo periodika v rámci uvedeného svazkuN/A
Stát vydavatele periodikaDE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku4
Údaje o tomto záznamu o výsledku
PředkladatelFyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
DodavatelAV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR)
Rok sběru2003
Systémové označení dodávky datRIV/2003/AV0/A02003/N/2:2
Datum dodání4.3.2004
SpecifikaceRIV/68378271:_____/00:02000032!RIV/2003/AV0/A02003/N
Kontrolní kód[9FAF561C2F7C]
Další výskyty tohoto výsledku od stejného předkladatele
Dodáno AV ČR v roce 2001Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/00:02000032 v dodávce dat RIV/2001/AV0/A02001/N/2:3
Dodáno GA ČR v roce 2001Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/00:02000032 v dodávce dat RIV/2001/GA0/A02001/N/2:2
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
ProjektGA202/98/0669 - Nanostrukturní polovodičové materiály - zdokonalení technologie, cílené změny elektronických a optických vlastností (1998-2000, GA0/GA)
ProjektIAA1010809 - Diagnostika nekrystalického křemíku s nanometrovým a femtosekundovým rozlišením (1998-2002, AV0/IA)
ProjektIAB1112901 - Nelineární optické vlastnosti polovodičových nanokrystalů (1999-2001, AV0/IA)
Výzkumný záměrAV0Z1010914 - Experimentální a teoretický výzkum kondenzovaných systémů s význačnými fyzikálními vlastnostmi (1999-2004, AV0)