| | |
|---|
| Údaje o výsledku |
| Identifikační kód | RIV/68378271:_____/00:02000032 |
| Název v původním jazyce | Temperature behavior of optical properties of Si + - implanted SiO 2 . |
| Druh | J - Článek v odborném periodiku |
| Jazyk | eng - angličtina |
| Obor | BM - Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Rok uplatnění | 2000 |
| Kód důvěrnosti údajů | S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů |
| Počet výskytů výsledku | 3 |
| Tvůrci výsledku |
| Počet tvůrců celkem | 10 |
| Počet domácích tvůrců | 4 |
| Tvůrce | Valenta J. (státní příslušnost: CZ - Česká republika) |
| Tvůrce | Dian J. (státní příslušnost: CZ - Česká republika) |
| Tvůrce | Luterová Kateřina (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce; G - garant výsledku) |
| Tvůrce | Knápek Petr (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce) |
| Tvůrce | Pelant Ivan (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce) |
| Tvůrce | Nikl Martin (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce) |
| Tvůrce | Muller D. (státní příslušnost: FR - Francouzská republika) |
| Tvůrce | Grob J. J. (státní příslušnost: FR - Francouzská republika) |
| Tvůrce | Rehspringer J. L. (státní příslušnost: FR - Francouzská republika) |
| Tvůrce | Hönerlage B. (státní příslušnost: FR - Francouzská republika) |
| Údaje blíže specifikující výsledek |
| Popis v původním jazyce | Silicon nanocrystals were prepared by Si+-ion implantation and subswquent annealing of SiO2 films thermally grown on a c-Si wafer. It is shown that all PL characteristics (eficiency, dynamics, temperature dependence, excitaqtion spectra) of the Si+-implanted SiO2 films bear close resemblance to those of a light-emitting porous Si and therefore are supposed similar PL origin in both materials. |
| Klíčová slova | N/A |
| Název periodka | European Physical Journal. D |
| Rozsah stran | 395;398 |
| ISSN | 1434-6060 |
| Svazek periodika | 8 |
| Číslo periodika v rámci uvedeného svazku | N/A |
| Stát vydavatele periodika | DE - Spolková republika Německo |
| Počet stran výsledku | 4 |
| Údaje o tomto záznamu o výsledku |
| Předkladatel | Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. |
| Dodavatel | AV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR) |
| Rok sběru | 2003 |
| Systémové označení dodávky dat | RIV/2003/AV0/A02003/N/2:2 |
| Datum dodání | 4.3.2004 |
| Specifikace | RIV/68378271:_____/00:02000032!RIV/2003/AV0/A02003/N |
| Kontrolní kód | [9FAF561C2F7C] |
| Další výskyty tohoto výsledku od stejného předkladatele |
| Dodáno AV ČR v roce 2001 | Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/00:02000032 v dodávce dat RIV/2001/AV0/A02001/N/2:3 |
| Dodáno GA ČR v roce 2001 | Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/00:02000032 v dodávce dat RIV/2001/GA0/A02001/N/2:2 |
| Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl |
| Projekt | GA202/98/0669 - Nanostrukturní polovodičové materiály - zdokonalení technologie, cílené změny elektronických a optických vlastností (1998-2000, GA0/GA) |
| Projekt | IAA1010809 - Diagnostika nekrystalického křemíku s nanometrovým a femtosekundovým rozlišením (1998-2002, AV0/IA) |
| Projekt | IAB1112901 - Nelineární optické vlastnosti polovodičových nanokrystalů (1999-2001, AV0/IA) |
| Výzkumný záměr | AV0Z1010914 - Experimentální a teoretický výzkum kondenzovaných systémů s význačnými fyzikálními vlastnostmi (1999-2004, AV0) |