• česky
  • english

RIV/67985882:_____/06:00076253 - Evaluation of semiinsulating annealed InP:Ta for radiation detectors (2006)

Údaje o výsledku
Identifikační kódRIV/67985882:_____/06:00076253
Název v původním jazyceEvaluation of semiinsulating annealed InP:Ta for radiation detectors
Název českyVyhodnocení semiizolačního žíhaného InP:Ta pro radiační detektory
DruhJ - Článek v odborném periodiku
Jazykeng - angličtina
OborBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Rok uplatnění2006
Kód důvěrnosti údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Počet výskytů výsledku1
Tvůrci výsledku
Počet tvůrců celkem4
Počet domácích tvůrců3
TvůrceŽďánský Karel (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce; G - garant výsledku)
TvůrceGorodynskyy Vladyslav (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrcePekárek Ladislav (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
TvůrceKozak Halina (státní příslušnost: UA - Ukrajina; A - domácí tvůrce)
Údaje blíže specifikující výsledek
Popis v původním jazyceInP crystals were grown by the Czochralski technique with inclusion of Ta into the melt and then converted to the semi-insulating state by annealing. Temperature dependent Hall measurements were carried over the range from 300 K to 430 K and the activation energy of the impurity responsible for the semi-insulating state was determined as 0.75 eV from the conduction band edge. Radiation detectors were characterized by pulse-height spectra of alpha particles yielding an 85 % charge collection efficiency.
Popis českyKrystaly InP byly připraveny technikou Czochralského s přísadou Ta v tavenině a pak žíháním převedeny do semiizolačního stavu. Byla provedena teplotně závislá Hallova měření v rozsahu od 300 K do 430 K a určena aktivační energie nečistoty zodpovědné za semiizolační stav s hodnotou 0.75 eV od okraje vodivostního pásu. Připravené radiační detektory byly charakterizovány spektry výšky impulzů od alfa částic s výsledkem 85% sběrné účinnosti náboje.
Klíčová slovaparticle detectors; III-V semiconductors; Hall effect
Název periodkaIEEE Transactions on Nuclear Science
Rozsah stran3956;3961
ISSN0018-9499
Svazek periodika53
Číslo periodika v rámci uvedeného svazku6 Pt. II
Stát vydavatele periodikaUS - Spojené státy americké
Počet stran výsledku6
Údaje o tomto záznamu o výsledku
PředkladatelÚstav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
DodavatelAV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR)
Rok sběru2007
Systémové označení dodávky datRIV07-AV0-67985882/02:2
Datum dodání17.12.2007
SpecifikaceRIV/67985882:_____/06:00076253!RIV07-AV0-67985882
Kontrolní kód[0D4A2C43FC35]
Jiný výskyt tohoto výsledku se v RIV nenachází
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
ProjektKAN400670651 - Výzkum rozhraní kovových nanočástic s InP pro monitoring nežádoucích látek, plynů a záření v životním prostředí (2006-2008, AV0/KA)
Výzkumný záměrAV0Z10100520 - Specifické jevy v kondenzovaných systémech se sníženou prostorovou dimenzí a narušenou symetrií (2005-2011, AV0)
Výzkumný záměrAV0Z20670512 - Materiály, struktury, systémy a signály v elektronice, optoelektronice a fotonice (2005-2011, AV0)