• česky
  • english
Přejít na obsah | Přejít na menu

Informační systém výzkumu, experimentálního vývoje a inovací
výzkum, vývoj a inovace podporované z veřejných prostředků ČR

    • Poskytovatelé podpory ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPO)
    • Programy výzkumu, vývoje a inovací (RPG)
    • Subjekty ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPR)
  • Veřejné soutěže ve výzkumu, vývoji a inovacích (VES)
  • Projekty výzkumu, vývoje a inovací (CEP)
  • Výzkumné záměry (CEZ)
  • Výsledky výzkumu, vývoje a inovací (RIV)

RIV/67985882:_____/03:13030140 - Annealing of Bi 2 Te 3 thin films prepared by pulsed laser deposition. (2003)

Údaje o výsledku
Identifikační kódRIV/67985882:_____/03:13030140
Název v původním jazyceAnnealing of Bi 2 Te 3 thin films prepared by pulsed laser deposition.
DruhD - Článek ve sborníku
Jazykeng - angličtina
OborJA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Rok uplatnění2003
Kód důvěrnosti údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Počet výskytů výsledku3
Tvůrci výsledku
Počet tvůrců celkem5
Počet domácích tvůrců2
TvůrcePavelka Martin (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
TvůrceZeipl Radek (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce; G - garant výsledku)
TvůrceJelínek Miroslav (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
TvůrceWalachová Jarmila (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceStudnička Václav (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
Údaje blíže specifikující výsledek
Popis v původním jazyceBi 2 Te 3 thin films were prepared by laser ablation /PLD/ at room temperature and then annealed in argon atmosphere. Anneling is a widely used method of film properties /primarily crystallinity/ improvement. The influence of annealing on transport properties was studied.
Klíčová slovathin films; thermoelectricity
Název sborníkuInternational Conference NANO'03. Proceedings.
Rozsah stran104;108
ISBN80-214-2486-9
Počet stran výsledku5
Název nakladateleVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Místo vydáníBrno
Místo konání akceBrno [CZ]
Datum zahájení akce21.10.2003
Typ akce podle státní příslušnoti účastníkůEUR - Evropská
Údaje o tomto záznamu o výsledku
PředkladatelÚstav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
DodavatelAV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR)
Rok sběru2004
Systémové označení dodávky datRIV/2004/AV0/A13004/N/3:3
Datum dodání5.9.2005
SpecifikaceRIV/67985882:_____/03:13030140!RIV/2004/AV0/A13004/N
Kontrolní kód[8BD4BBA9D822]
Další výskyty tohoto výsledku od stejného předkladatele
Dodáno GA ČR v roce 2004Záznam s identifikačním kódem RIV/67985882:_____/03:13030140 v dodávce dat RIV/2004/GA0/A13004/N/2:2
Další výskyty tohoto výsledku od jiných předkladatelů
Další předkladatelFyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Dodáno GA ČR v roce 2004Záznam s identifikačním kódem RIV/68378271:_____/03:13030140 v dodávce dat RIV/2004/GA0/A02004/N/3:3
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
ProjektGA202/02/0098 - Studium velmi tenkých Bi2Te3 vrstev připravených laserovou ablací a jejich modifikace pomocí rastrovacího tunelového mikroskopu (STM) (2002-2004, GA0/GA)
ProjektIAA1010110 - Nové laserové hybridní technologie pro depozici tenkých vrstev (2001-2005, AV0/IA)
Výzkumný záměrAV0Z1010914 - Experimentální a teoretický výzkum kondenzovaných systémů s význačnými fyzikálními vlastnostmi (1999-2004, AV0)
Výzkumný záměrAV0Z1048901 - Teoretické a experimentální studium atomových jader a využívání jaderných metod v interdisciplinárním výzkumu (1999-2004, AV0)
Výzkumný záměrAV0Z2067918 - Výzkum generování, přenosu a zpracování širokopásmových, etalonových a řečových signálů s využitím příslušných polovodičových a optických struktur (1999-2004, AV0)
Tuto aplikaci pro Radu pro výzkum, vývoj a inovace provozuje Výpočetní a informační centrum Českého vysokého učení technického v Praze. Vyvíjí InfoScience Praha s.r.o.. Verze aplikace 1.6.15. Datové schéma ISVAV_WEB5_00306. Podpora uživatelů na e-mailové adrese podpora (zavináč) isvav (tečka) cz nebo telefonním čísle 224 234 797 (v pracovních dnech 8-16 hod.).