• česky
  • english
Přejít na obsah | Přejít na menu

Informační systém výzkumu, experimentálního vývoje a inovací
výzkum, vývoj a inovace podporované z veřejných prostředků ČR

    • Poskytovatelé podpory ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPO)
    • Programy výzkumu, vývoje a inovací (RPG)
    • Subjekty ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPR)
  • Veřejné soutěže ve výzkumu, vývoji a inovacích (VES)
  • Projekty výzkumu, vývoje a inovací (CEP)
  • Výzkumné záměry (CEZ)
  • Výsledky výzkumu, vývoje a inovací (RIV)

RIV/00216305:26210/06:PU63612 - Fabrication of nanostructures on Si(100) and GaAs(1 0 0) by local anodic oxidation (2006)

Údaje o výsledku
Identifikační kódRIV/00216305:26210/06:PU63612
Název v původním jazyceFabrication of nanostructures on Si(100) and GaAs(1 0 0) by local anodic oxidation
Název českyVytváření nanostruktur na Si(100) a GaAs(1 0 0) pomocí lokální anodické oxidace
DruhJ - Článek v odborném periodiku
Jazykeng - angličtina
OborBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Rok uplatnění2006
Kód důvěrnosti údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Počet výskytů výsledku3
Tvůrci výsledku
Počet tvůrců celkem6
Počet domácích tvůrců6
TvůrceŠikola Tomáš (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceČervenka Jiří (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce; G - garant výsledku)
TvůrceKalousek Radek (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceŠkoda David (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceTomanec Ondřej (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
TvůrceBartošík Miroslav (státní příslušnost: CZ - Česká republika; A - domácí tvůrce)
Údaje blíže specifikující výsledek
Popis v původním jazyceAtomic force microscopes have become useful tools not only for observing surface morphology and nanostructure topography but also for fabrication of various nanostructures itself. In this paper, the application of AFM for fabrication of nanostructures by local anodic oxidation (LAO) of Si(1 0 0) and GaAs(1 0 0) surfaces is presented. A special attention is paid to finding relations between the size of oxide nanolines (height and half-width) and operational parameters as tip-sample voltage and tip writing speed. It was demonstrated that the formation of silicon oxide lines obeys the Cabrera-Mott theory, i.e. the height of the lines grow, linearly with tip-sample voltage and is inversely proportional to logarithm of tip writing speed. As for GaAs substrates, the oxide line height grows linearly with tip-sample voltage as well but LAO exhibits a certain deviation from this theory. It is shown that the selective chemical etching of Si or GaAs ultrathin films processed by LAO makes it possible to use these
Popis českyVytváření nanostruktur na Si(100) a GaAs(1 0 0) pomocí lokální anodické oxidace
Klíčová slovaNanotechnology, Nanostructure fabrication, Local anodic oxidation, AFM
Název periodkaApplied Surface Science
Rozsah stran2373-2378
ISSN0169-4332
Svazek periodika253
Číslo periodika v rámci uvedeného svazku5
Stát vydavatele periodikaNL - Nizozemské království
Počet stran výsledku6
Údaje o tomto záznamu o výsledku
PředkladatelVysoké učení technické v Brně / Fakulta strojního inženýrství
DodavatelMSM - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy (MŠMT)
Rok sběru2007
Systémové označení dodávky datRIV07-MSM-26210___/03:3
Datum dodání27.8.2009
SpecifikaceRIV/00216305:26210/06:PU63612!RIV07-MSM-26210___
Kontrolní kód[18FF1D8B6D51]
Další výskyty tohoto výsledku od stejného předkladatele
Dodáno AV ČR v roce 2007Záznam s identifikačním kódem RIV/00216305:26210/06:PU63612 v dodávce dat RIV07-AV0-26210___/01:1
Dodáno GA ČR v roce 2007Záznam s identifikačním kódem RIV/00216305:26210/06:PU63612 v dodávce dat RIV07-GA0-26210___/02:2
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
ProjektGP202/04/P125 - Měření profilu provrchů pomocí bezkontaktní mikroskopie atomárních sil (2004-2006, GA0/GP)
ProjektIAA1010413 - Nanověda a nanotechnologie se sondovými mikroskopy: od jevů na atomární úrovni k materiálovým vlastnostem (2004-2008, AV0/IA)
ProjektLC06040 - Struktury pro nanofotoniku a nanoelektroniku (2006-2011, MSM/LC)
Výzkumný záměrMSM0021630508 - Anorganické nanomateriály a nanostruktury: vytváření, analýza, vlastnosti (2005-2011, MSM)
Tuto aplikaci pro Radu pro výzkum, vývoj a inovace provozuje Výpočetní a informační centrum Českého vysokého učení technického v Praze. Vyvíjí InfoScience Praha s.r.o.. Verze aplikace 1.6.15. Datové schéma ISVAV_WEB5_00302. Podpora uživatelů na e-mailové adrese podpora (zavináč) isvav (tečka) cz nebo telefonním čísle 224 234 797 (v pracovních dnech 8-16 hod.).