• česky
  • english
Přejít na obsah | Přejít na menu

Informační systém výzkumu, experimentálního vývoje a inovací
výzkum, vývoj a inovace podporované z veřejných prostředků ČR

    • Poskytovatelé podpory ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPO)
    • Programy výzkumu, vývoje a inovací (RPG)
    • Subjekty ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPR)
  • Veřejné soutěže ve výzkumu, vývoji a inovacích (VES)
  • Projekty výzkumu, vývoje a inovací (CEP)
  • Výzkumné záměry (CEZ)
  • Výsledky výzkumu, vývoje a inovací (RIV)

IAA1010809 - Diagnostika nekrystalického křemíku s nanometrovým a femtosekundovým rozlišením (1998-2002, AV0/IA)

Údaje o projektu
Identifikační kódIAA1010809
Důvěrnost údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Název v původním jazyceDiagnostika nekrystalického křemíku s nanometrovým a femtosekundovým rozlišením
PoskytovatelAV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR)
ProgramIA - Granty výrazně badatelského charakteru zaměřené na oblast výzkumu rozvíjeného v současné době zejména v AV ČR (1991-2013)
Hlavní oborBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Zahájení řešení01/1998
Ukončení řešení12/2002
Poslední stav řešeníU - Ukončený projekt, tj. jednoletý nebo víceletý projekt, který skončil v předcházejícím roce, v příslušném roce sběru dat jsou dodány údaje vztahující se k jeho ukončení
Finance projektu
Období19981999200020012002celkem
Výše podpory ze státního rozpočtu1 291 tis. Kč1 375 tis. Kč1 382 tis. Kč1 375 tis. Kč1 556 tis. Kč6 979 tis. Kč
Celkové uznané náklady7 249 tis. Kč9 587 tis. Kč10 390 tis. Kč7 578 tis. Kč8 376 tis. Kč43 180 tis. Kč
Typskutečně čerpanéskutečně čerpanéskutečně čerpanéskutečně čerpanéskutečně čerpané
Druh soutěžeVS - Veřejná soutěž ve výzkumu a vývoji
Cíle řešení v původním jazyceProjekt se zaměří zejména na dvě modelové nekryst. formy křemíku se značným významem pro prakt. aplikace: amorfní hydrogenizovaný křemík (a-Si:H) a mikrokryst. křemík (mikroc-Si). Sledovány budou však i jiné formy křemíku event. jiné materiály blízké sluneční fotovoltaice. Prvním cílem bude zjištění morfologie materiálů rastovacím tunelovým mikroskopem a objasnění role defektů jako rekombinačních center pomocí studia vodivosti a fotovodivosti s nanometrovým laterálním rozlišením. Výsledky budou korelovány se studiem ultrarychlé dynamiky fotonosičů metodami femtosek. laser. spektroskopie. Druhým cílem je ověřit nové konstrukční modifikace fotovoltaických článků event. jejich částí za účelem zvýšení účinnosti přeměny sluneční energie, resp. odstranění event. degradace. Třetím cílem je zjistit potenciální možnosti luminisk. a-Si:H (event. mikroc-Si) se širokým gapem pro přípravu elektrolumin. zdrojů světla event. pro další optoelektronické aplikace.
Klíčová slova v anglickém jazyceamorphous silicon;microcrystalline silicon;silicon nanocrystals;atomic force microscopy;scanning tunnelling microscopy;solar photovoltaics; photocarrier recombination;ultrafast laser spectroscopy;light emitting silicon;photoluminiscence;electroluminisc.
Hodnocení výsledkůV - Vynikající výsledky (s mezinárodním významem apod.). Zároveň byly splněny cíle a předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory.
Zhodnocení výsledků řešení českyMikroskopickými modely elektrické vodivosti a růstu tenkých vrstev mikrokrystalického křemíku jsme objasnili souvislost mezi mikrostrukturou a elektrickými vlastnostmi mikrokrystalického křemíku. Vyvíjíme křemíkové nanostruktury pro křemíkový laser.
Rok dodání údajů do CEP2003
Systémové označení dodávky datCEP/2003/AV0/AV03IA/U/N/5:3
Datum dodání záznamu27.10.2004
Účastníci projektu
Počet příjemců2
Počet dalších účastníků projektu0
PříjemceUniverzita Karlova v Praze
ŘešitelDoc. RNDr. Petr Malý, CSc. (státní příslušnost: CZ - Česká republika; tel.: (02)21911260; fax: (02)21911249)
PříjemceFyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
ŘešitelDoc. RNDr. Ivan Pelant, DrSc. (státní příslušnost: CZ - Česká republika; tel.: (02)24311137; fax: (02)3123184)
Účastník - organizační jednotkaUniverzita Karlova v Praze / Matematicko-fyzikální fakulta
Poznámka: Finance účastníků projektu jsou sledovány od roku 2007
Výsledky projektu v RIV
Počet výsledků v RIV42
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/04:00107363 - Křemíkový laser - poslední chybějící článek pro křemíkovou fotonku (2004)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/03:02030102 - Active planar optics waveguide made from luminescent silicon nanocrystals. (2003)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/03:02030496 - Basic features of transport in microcrystalline silicon. (2003)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/03:02030175 - Experimentální aspekty luminescence/fotonové emise buzené hrotem STM. (2003)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/03:02030154 - Optical gain measurements with variable stripe length wechnique. (2003)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/03:02030104 - Studies of silicon nanocrystals in phosphorous rich SiO 2 matricies. (2003)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/03:00100037 - Studium struktury a růstu nizkoteplotního protokrystalického křemíku pomocí AFM mikroskopu (2003)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:02020037 - Electric-field-enhanced metal-induced crystallization of hydrogenated amorphous silicon at room temperature. (2002)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/02:02030281 - Fotonová emise buzená hrotem STM. (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:02020035 - Infrared picosecond absorption spectroscopy of microcrystalline silicon: separation between carrier recombination in crystalline and amorphous fractions. (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:02020070 - Luminescence buzená hrotem rastrovacího tunelovacího mikroskopu. (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:00100521 - Microcrystalline silicon thin films studied by atomic force microscopy with electrical current detection (2002)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/02:02030280 - Objektové orientované programování experimentů v laboratoři. (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:02020003 - Photoluminescence properties of sol-gel derived SiO 2 layers doped with porous silicon. (2002)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/02:02030282 - Studium mikrokristalického křemíku pomocí kombinovaného AFM mikroskopu. (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:02020036 - Ultrafast carrier dynamics in CdSe nanocrystalline films on crystalline silicon substrate. (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:02020175 - Waveguiding effects in the measurement of optical gain in a layer of Si nanocrystals. (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/01:02010203 - A new approach to surface photovoltage measurements on hydrogenated microcrystalline silicon layers. (2001)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/01:02010187 - Carrier diffusion in microcrystalline silicon studied by the picosecond laser induced grating technique. (2001)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/01:02010188 - Microcrystalline silicon - relation between transport and microstructure. (2001)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/01:02010435 - Si + and Ge + ion implanted SiO 2 matices: photoluminescence peculiarities. (2001)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000333 - Anisotropic carrier transport in preferentially oriented polycrystalline silicon films fabricated by very-high-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition using fluorinated source gas. (2000)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/00:02000130 - Charakterizace mikrokrystalického křemíku metodami CPM a SPV. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000261 - Extraction current transities: New method of study of charge transport in microcrystalline silicon. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000334 - Interfernce laser crystallization of microcrystalline silicon using asymmetric beam intensities. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000177 - Light emitting wide band gap a-Si:H deposited by microwave electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapour deposition. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000332 - Local electronic transport in microrystalline silicon observed by combined atomic force microscopy. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000331 - Local photoconductivity correlation with granular structure of microcrystalline silicon thin films. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000330 - New method of drift mobility evaluation in .mu.c-SiH, basic idea and comparison with time-of-flight. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000162 - Optical absorption and light scattering in microcrystalline silicon thin films and solar cells. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000292 - Red electroluminiscence in Si + -implanted sol-gel-derived SiO 2 films. (2000)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/00:02000118 - Silicon-based materials for optoelectronics: Visible photoluminescence and electroluminescence from amorphous silicon. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000032 - Temperature behavior of optical properties of Si + - implanted SiO 2 . (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000124 - Ultrafast carrier dynamics in undoped microcrystalline silicon. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000257 - Visible photoluminiscence and electroluminiscence in wide-bandgap hydrogenated amorphous silicon. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000033 - Wide gap hydrogenated amorphous silicon for visible light emission. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990342 - Blue electroluminiscence from high dose Si + implantation in SiO 2 . (1999)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990340 - Correlation of photoinductivity and structure of microcrystalline silicon thin films with submicron resolution. (1999)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990501 - Direct observation of single domains in poled (111) PZT (PbZr0.25Ti0.75O3) films. (1999)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990339 - Polycrystalline silicon thin films produced by interference laser crystallization of amorphous silicon. (1999)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990085 - Ultrafast carrier dynamics in wide gap hydrogenated amorphous silicon. (1999)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990268 - Visible photoluminiscence in hydrogenated amorphous silicon grown in microwave plasma from SiH 4 strongly diluted with He. (1999)
Tuto aplikaci pro Radu pro výzkum, vývoj a inovace provozuje Výpočetní a informační centrum Českého vysokého učení technického v Praze. Vyvíjí InfoScience Praha s.r.o.. Verze aplikace 1.6.15. Datové schéma ISVAV_WEB5_00305. Podpora uživatelů na e-mailové adrese podpora (zavináč) isvav (tečka) cz nebo telefonním čísle 224 234 797 (v pracovních dnech 8-16 hod.).