• česky
  • english
Přejít na obsah | Přejít na menu

Informační systém výzkumu, experimentálního vývoje a inovací
výzkum, vývoj a inovace podporované z veřejných prostředků ČR

    • Poskytovatelé podpory ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPO)
    • Programy výzkumu, vývoje a inovací (RPG)
    • Subjekty ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPR)
  • Veřejné soutěže ve výzkumu, vývoji a inovacích (VES)
  • Projekty výzkumu, vývoje a inovací (CEP)
  • Výzkumné záměry (CEZ)
  • Výsledky výzkumu, vývoje a inovací (RIV)

GA202/98/0669 - Nanostrukturní polovodičové materiály - zdokonalení technologie, cílené změny elektronických a optických vlastností (1998-2000, GA0/GA)

Údaje o projektu
Identifikační kódGA202/98/0669
Důvěrnost údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Název v původním jazyceNanostrukturní polovodičové materiály - zdokonalení technologie, cílené změny elektronických a optických vlastností
PoskytovatelGA0 - Grantová agentura České republiky (GA ČR)
ProgramGA - Standardní projekty (1993-…)
Hlavní oborBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Vedlejší oborCA - Anorganická chemie
Další vedlejší oborJA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Zahájení řešení01/1998
Ukončení řešení12/2000
Poslední stav řešeníU - Ukončený projekt, tj. jednoletý nebo víceletý projekt, který skončil v předcházejícím roce, v příslušném roce sběru dat jsou dodány údaje vztahující se k jeho ukončení
Finance projektu
Období199819992000celkem
Výše podpory ze státního rozpočtu1 093 tis. Kč467 tis. Kč467 tis. Kč2 027 tis. Kč
Celkové uznané náklady1 923 tis. Kč467 tis. Kč467 tis. Kč2 857 tis. Kč
Typskutečně čerpanéskutečně čerpanéskutečně čerpané
Cíle řešení v původním jazyceProjekt je zaměřen na pochopení základních elektronických a optických vlastností nových nízkodimenzionálních polovodičových materiálů, na posouzení jejich využitelnosti v optoelektronice a na rozvoj technologie přípravy. Budou studovány dva typy polovodičových struktur: (1) světlo emitující křemíkové struktury, zejména amorfní hydrogenizovaný Si silně ředěný heliem, (2) nanokrystaly polovodičů II-VI (CdS, ZnS) v SiO2 matrici připravené metodou sol-gel. Hlavní cíle výzkumu jsou: (a) objasnění mechanismů excitace a deexcitace, zejména machanismu fotoluminiscence a elektroluminiscence v obou typech nanostruktur (objasnění role kvantového rozměrového efektu, center na povrchu nanokrystalů a na jeho rozhraní s matricí i role interakcí elementárních exitací s fotony), (b) zhodnocení kvantové účinnosti elektroluminiscence a velikosti optického zisku v uvedených materiálech a upravení technologie přípravy tak, aby byly tyto (pro aplikace důležité) parametry optimalizovány. Experimentální
Hodnocení výsledkůU - Uspěl podle zadání, tj. byly splněny cíle a jeho předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory
Zhodnocení výsledků řešení českyProjekt byl zaměřen na přípravu nanokrystalických polovodičových materiálů, zkoumání jejich fotoluminiscence a pochopení jejich mechanizmu. Zvláštní důraz byl kladen na posouzení jejich použitelnosti pro optoelektronické aplikace. Úspěšnost řešení projek
Rok dodání údajů do CEP2001
Systémové označení dodávky datCEP/2001/GA0/GA01GA/U/N/9:4
Účastníci projektu
Počet příjemců1
Počet dalších účastníků projektu0
Příjemce / Organizační jednotka garantující řešeníUniverzita Karlova v Praze / Matematicko-fyzikální fakulta
ŘešitelDr. Jan Valenta (státní příslušnost: CZ - Česká republika; fax: 02-2323316)
Účastník - subjekt nebo fyzická osobaUniverzita Karlova v Praze
Účastník - subjekt nebo fyzická osobaÚstav anorganické chemie AV ČR, v. v. i.
Účastník - subjekt nebo fyzická osobaFyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Poznámka: Finance účastníků projektu jsou sledovány od roku 2007
Výsledky projektu v RIV
Počet výsledků v RIV26
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/04:00107363 - Křemíkový laser - poslední chybějící článek pro křemíkovou fotonku (2004)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/03:02030496 - Basic features of transport in microcrystalline silicon. (2003)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:02020037 - Electric-field-enhanced metal-induced crystallization of hydrogenated amorphous silicon at room temperature. (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:00100521 - Microcrystalline silicon thin films studied by atomic force microscopy with electrical current detection (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/01:02010203 - A new approach to surface photovoltage measurements on hydrogenated microcrystalline silicon layers. (2001)
Výsledek druhu JRIV/61388980:_____/01:50013175 - Electroluminescence from sol-gel derived film of CdS nanocrystals. (2001)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/01:00105307 - Electroluminescence microscopy and spectroscopy of silicon nanocrystals in thin SiO2 layers (2001)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/01:02010188 - Microcrystalline silicon - relation between transport and microstructure. (2001)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/01:00105543 - Photoluminescence and optical gain in CuBr semiconductor nanocrystals (2001)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/01:00105396 - Room temperature electric field induced crystallization of wide band gap hydrogenated amorphous silicon (2001)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/01:02010489 - Silicon-based-light-emitting materials: implanted SiO 2 films and wide bandgap a-Si:H. (2001)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000333 - Anisotropic carrier transport in preferentially oriented polycrystalline silicon films fabricated by very-high-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition using fluorinated source gas. (2000)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/00:02000130 - Charakterizace mikrokrystalického křemíku metodami CPM a SPV. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000334 - Interfernce laser crystallization of microcrystalline silicon using asymmetric beam intensities. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000177 - Light emitting wide band gap a-Si:H deposited by microwave electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapour deposition. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000332 - Local electronic transport in microrystalline silicon observed by combined atomic force microscopy. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000331 - Local photoconductivity correlation with granular structure of microcrystalline silicon thin films. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000162 - Optical absorption and light scattering in microcrystalline silicon thin films and solar cells. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000292 - Red electroluminiscence in Si + -implanted sol-gel-derived SiO 2 films. (2000)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/00:02000118 - Silicon-based materials for optoelectronics: Visible photoluminescence and electroluminescence from amorphous silicon. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000032 - Temperature behavior of optical properties of Si + - implanted SiO 2 . (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000257 - Visible photoluminiscence and electroluminiscence in wide-bandgap hydrogenated amorphous silicon. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990342 - Blue electroluminiscence from high dose Si + implantation in SiO 2 . (1999)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990340 - Correlation of photoinductivity and structure of microcrystalline silicon thin films with submicron resolution. (1999)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990501 - Direct observation of single domains in poled (111) PZT (PbZr0.25Ti0.75O3) films. (1999)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990268 - Visible photoluminiscence in hydrogenated amorphous silicon grown in microwave plasma from SiH 4 strongly diluted with He. (1999)
Tuto aplikaci pro Radu pro výzkum, vývoj a inovace provozuje Výpočetní a informační centrum Českého vysokého učení technického v Praze. Vyvíjí InfoScience Praha s.r.o.. Verze aplikace 1.6.15. Datové schéma ISVAV_WEB5_00305. Podpora uživatelů na e-mailové adrese podpora (zavináč) isvav (tečka) cz nebo telefonním čísle 224 234 797 (v pracovních dnech 8-16 hod.).