• česky
  • english

GA202/96/0021 - Vázané elektronové stavy v polovodičích A III B V způsobené defekty (1996-1998, GA0/GA)

Údaje o projektu
Identifikační kódGA202/96/0021
Důvěrnost údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Název v původním jazyceVázané elektronové stavy v polovodičích A III B V způsobené defekty
PoskytovatelGA0 - Grantová agentura České republiky (GA ČR)
ProgramGA - Standardní projekty (1993-…)
Hlavní oborBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Zahájení řešení01/1996
Ukončení řešení12/1998
Poslední stav řešeníU - Ukončený projekt, tj. jednoletý nebo víceletý projekt, který skončil v předcházejícím roce, v příslušném roce sběru dat jsou dodány údaje vztahující se k jeho ukončení
Finance projektu
Období199619971998celkem
Výše podpory ze státního rozpočtu480 tis. Kč246 tis. Kč246 tis. Kč972 tis. Kč
Celkové uznané náklady480 tis. Kč246 tis. Kč1 092 tis. Kč1 818 tis. Kč
Typskutečně čerpanéskutečně čerpanéskutečně čerpané
Cíle řešení v původním jazyceCílem navrhovaného projektu je studium vázaných elektronových stavů způsobených v polovodičích příměsemi, poruchami, povrchy a hranami. Individuální a kolektivní vlastnosti těchto lokalizovaných stavů v 3D a 2D systémech budou zkoumány pomocí transportních a magnetotransportních metod za atmosférického a vysokého hydrostatického tlaku v širokém rozmezí teplot (1.2 - 400 K). Při tomto výzkumu se ukazuje zvláště významným použití vysokého hydrostatického tlaku, což umožňuje nalézt podstatu procesů určovaných elektronovými stavy. Získané výsledky budou sloužit jak k rozvoji teoretických představ, tak ke zdokonalení technologických postupů.
Hodnocení výsledkůV - Vynikající výsledky (s mezinárodním významem apod.). Zároveň byly splněny cíle a předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory.
Zhodnocení výsledků řešení českyPodařilo se objasnit vliv lokalizovaných stavů spojených s defekty ve tři a dvoudimenzionálních strukturách na bázi sloučenin typu III-V díky přesné charakterizaci materiálů, které se podařilo dosáhnout vylepšováním diagnostických metod na bázi transport
Rok dodání údajů do CEP1999
Systémové označení dodávky datCEP/1999/GA0/GA09GA/V/6:6
Účastníci projektu
Počet příjemců1
Počet dalších účastníků projektu0
PříjemceFyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
ŘešitelIng. Jozef Krištofik, CSc. (státní příslušnost: CZ - Česká republika; tel.: 02-24311137)
Poznámka: Finance účastníků projektu jsou sledovány od roku 2007
Výsledky projektu v RIV
Počet výsledků v RIV22
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990216 - Duration and nonlocality of a nucleon-nucleon collision. (1999)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990246 - Nonlocal kinetic equation and simulations of heavy ion reactions. (1999)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/99:02990331 - Penetration of electric field through the two-dimensional electron gas in quantum Hall regime. (1999)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990292 - The role of space charge in GaAs-based particle detectors. (1999)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990210 - Virial corrections to simulations of heavy ion reactions. (1999)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/98:02980444 - Electron confinement in (order) GaInP2/GaAs/(order) GaInP2 single quantum well. (1998)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/98:02980672 - Formation of correlations in srongly coupled plasmas. (1998)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/98:02980594 - Formation of correlations in strongly coupled plasmas. (1998)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/98:02980146 - Influence of random potential fluctuations on interwell radiative recombination in biased double quantum well. (1998)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/98:02980437 - Kinetics of dark excitations and excitonic trions in InGaAs single quatum well. (1998)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/98:02980145 - Nonlocal corrections to the Boltzmann equation for denss Fermi systems. (1998)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/98:02980466 - Optical studies of GaInP (ordered) /GaAs and GaInP (ordered) /GaP/GaAs heterostructures. (1998)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/98:02980148 - Out-of-plane weak localization in two-dimensional structures. (1998)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/98:02980157 - Temperature dependent quasiplateaux of Hall effect in multi-delta-layers. (1998)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/98:02000034 - Transport theory with non-local corrections. (1998)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/97:02970227 - Band alignment and photoluminescence up-conversion at the GaAs/(ordered) GaInP2 heterojunction. (1997)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/97:02970269 - Deep level transient measerements of DX centers in GaAlAs up to room temperature. (1997)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/97:02970318 - High field transport in semi-insulating GaAs: A promising material for solid-state detectors. (1997)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/97:02960523 - Low-field magnetoresistance anomaly in two-dimensional electron gas. (1997)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/97:02970287 - Study of GaAs detector response with low-energy protons1. (1997)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/96:02960301 - Deep donors in tellurium and sulphur codoped GaSb. (1996)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/96:02970087 - Magnetic field dependence of up-converted photoluminescence in partially ordered GaInP2/GaAs up to 23T. (1996)