• česky
  • english
Přejít na obsah | Přejít na menu

Informační systém výzkumu, experimentálního vývoje a inovací
výzkum, vývoj a inovace podporované z veřejných prostředků ČR

    • Poskytovatelé podpory ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPO)
    • Programy výzkumu, vývoje a inovací (RPG)
    • Subjekty ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPR)
  • Veřejné soutěže ve výzkumu, vývoji a inovacích (VES)
  • Projekty výzkumu, vývoje a inovací (CEP)
  • Výzkumné záměry (CEZ)
  • Výsledky výzkumu, vývoje a inovací (RIV)

GA202/04/1519 - Nízkoteplotní molekulární svazková epitaxe feromagnetického (Ga,Mn)As (2004-2006, GA0/GA)

Údaje o projektu
Identifikační kódGA202/04/1519
Důvěrnost údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Název v původním jazyceNízkoteplotní molekulární svazková epitaxe feromagnetického (Ga,Mn)As
PoskytovatelGA0 - Grantová agentura České republiky (GA ČR)
ProgramGA - Standardní projekty (1993-…)
Kategorie VaVZV - Základní výzkum
Hlavní oborBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Zahájení řešení01/2004
Ukončení řešení12/2006
Zahájení poskytování účelové podpory01/2004
Ukončení poskytování účelové podpory12/2006
Poslední stav řešeníU - Ukončený projekt, tj. jednoletý nebo víceletý projekt, který skončil v předcházejícím roce, v příslušném roce sběru dat jsou dodány údaje vztahující se k jeho ukončení
Finance projektu
Období200420052006celkem
Výše podpory ze státního rozpočtu1 680 tis. Kč1 022 tis. Kč1 022 tis. Kč3 724 tis. Kč
Celkové uznané náklady1 680 tis. Kč1 022 tis. Kč1 022 tis. Kč3 724 tis. Kč
Typskutečně čerpanéskutečně čerpanéskutečně čerpané
Druh soutěžeVS - Veřejná soutěž ve výzkumu a vývoji
Veřejná soutěž ve výzkumu, vývoji a inovacíchSGA02004GA-ST - Veřejná soutěž (GA0/GA)
Cíle řešení v původním jazyceProjekt je zaměřen na vývoj, realizaci a optimalizaci technologie růstu tenkých vrstev zředěných magnetických polovodičů (DMS), konkrétně manganem dotovaného GaAs. Magnetický materiál bude připravován v nové, dedikované aparatuře molekulární svazkové epitaxe, zaručující nejlepší možnou čistotu a reprodukovatelnost růstu. Vyrobené vzorky budou studovány transportní, optickou a magnetometrickou diagnostikou, přičemž získané parametry budou využity jak při optimalizaci růstového procesu, tak při porůstovém zpracování materiálu. Získaný materiál a vyvinutá technologie budou sloužit jako východisko dalšího experimentálního výzkumu ve fyzice magnetických polovodičů, doplňujícího existující významný výzkum teoretický.
Klíčová slova v anglickém jazyceNeuvedeno.
Hodnocení výsledkůU - Uspěl podle zadání, tj. byly splněny cíle a jeho předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory
Zhodnocení výsledků řešení českyNa úrovni úzké světové špičky byla zvládnuta technologie přípravy feromagnetického polovodiče (Ga,Mn)As. Vlastním technologickým výzkumem byly nalezeny optimální podmínky pro přípravu jak extrémně tenkých (pod 10 nm), tak velmi silných (500 nm) vrstev s
Rok dodání údajů do CEP2007
Systémové označení dodávky datCEP07-GA0-GA-U/03:2
Datum dodání záznamu16.10.2007
Účastníci projektu
Počet příjemců1
Počet dalších účastníků projektu0
PříjemceFyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
ŘešitelIng. Vít Novák, CSc. (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
Poznámka: Finance účastníků projektu jsou sledovány od roku 2007
Výsledky projektu v RIV
Počet výsledků v RIV15
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/09:00335861 - The origin and control of the sources of AMR in (Ga,Mn)As devices (2009)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/08:00314827 - Domain walls in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductor (2008)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/08:00314927 - (Ga,Mn)As based superlattices and the search for antiferromagnetic interlayer coupling (2008)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/08:00314836 - Huge tunnelling anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As nanoconstrictions (2008)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/08:00314829 - Non-volatile ferroelectric control of ferromagnetism in (Ga,Mn)As (2008)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/08:00313235 - Tunneling anisotropic magnetoresistance in multilayer-(Co/Pt)/AlOx/Pt structures (2008)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/08:00312840 - Voltage control of magnetocrystalline anisotropy in ferromagnetic - semiconductor/piezoelectric hybrid structures (2008)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/07:00097582 - Anisotropic magnetoresistance components in (Ga,Mn)As (2007)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/07:00094565 - Character of states near the Fermi level in (Ga,Mn)As: impurity to valence band crossover (2007)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/07:00097564 - Comparison of the mid-infrared magneto-otical response of GaMnAs films grown by molecular beam epitaxy and ion implantation and pulsed laser melting (2007)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/07:00097606 - Local control of magnetocrystalline anisotropy in (Ga,Mn)As microdevices: demonstration in current-induced switching (2007)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/07:00097659 - Ordinary and extraordinary Coulomb blockade magnetoresistance in (Ga,Mn)As single electron transistor (2007)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/07:00093079 - Substrate temperature changes during molecular beam epitaxy growth of GaMnAs (2007)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/06:00048290 - Location of Mn sites in ferromagnetic Ga1-xMnx As studied by means of X-ray diffuse scattering holography (2006)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/06:00079003 - Mn incorporation in as-grown and annealed (Ga,Mn)As layers studied by x-ray diffraction and standing-wave fluorescence (2006)
Tuto aplikaci pro Radu pro výzkum, vývoj a inovace provozuje Výpočetní a informační centrum Českého vysokého učení technického v Praze. Vyvíjí InfoScience Praha s.r.o.. Verze aplikace 1.6.15. Datové schéma ISVAV_WEB5_00306. Podpora uživatelů na e-mailové adrese podpora (zavináč) isvav (tečka) cz nebo telefonním čísle 224 234 797 (v pracovních dnech 8-16 hod.).