• česky
  • english
Přejít na obsah | Přejít na menu

Informační systém výzkumu, experimentálního vývoje a inovací
výzkum, vývoj a inovace podporované z veřejných prostředků ČR

    • Poskytovatelé podpory ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPO)
    • Programy výzkumu, vývoje a inovací (RPG)
    • Subjekty ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPR)
  • Veřejné soutěže ve výzkumu, vývoji a inovacích (VES)
  • Projekty výzkumu, vývoje a inovací (CEP)
  • Výzkumné záměry (CEZ)
  • Výsledky výzkumu, vývoje a inovací (RIV)

GA102/99/0414 - Materiály a struktury pro elektronické a optoelektronické součástky připravované metodou MOVPE (1999-2001, GA0/GA)

Údaje o projektu
Identifikační kódGA102/99/0414
Důvěrnost údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Název v původním jazyceMateriály a struktury pro elektronické a optoelektronické součástky připravované metodou MOVPE
PoskytovatelGA0 - Grantová agentura České republiky (GA ČR)
ProgramGA - Standardní projekty (1993-…)
Hlavní oborJA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Vedlejší oborBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Další vedlejší oborCF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
Zahájení řešení01/1999
Ukončení řešení12/2001
Poslední stav řešeníU - Ukončený projekt, tj. jednoletý nebo víceletý projekt, který skončil v předcházejícím roce, v příslušném roce sběru dat jsou dodány údaje vztahující se k jeho ukončení
Finance projektu
Období199920002001celkem
Výše podpory ze státního rozpočtu1 695 tis. Kč1 618 tis. Kč1 476 tis. Kč4 789 tis. Kč
Celkové uznané náklady1 695 tis. Kč1 618 tis. Kč3 536 tis. Kč6 849 tis. Kč
Typskutečně čerpanéskutečně čerpanéskutečně čerpané
Druh soutěžeVS - Veřejná soutěž ve výzkumu a vývoji
Cíle řešení v původním jazyceV průběhu posledních šesti let se na pracovišti FzÚ rozvinula MOVPE technologická metoda přípravy tenkých extrémně tenkých vrstev a struktur z polovodičů AIIIBV, vč. příslušné základní diagnostiky. Na pracovištích spoluřešitelů byly vybudovány nejen potřebné diagnostické a charakterizační techniky, ale i vlastní programy studia různých heterostruktur. Pro příští tříletý cyklus spolupráce akademického (FzÚ) a univerzitních (MFF-UK, ÚIPL-VŠCHT, FEL-ČVUT, PřF-MU) pracovišť, bychom chtěli využít naše vybavení a získané zkušenosti na přípravu a charakterizaci polovodičových struktur vhodných pro součástky nebo jinak blízkých aplikacím. Konkrétně chceme dokončit programy z předchozího projektu, případně začít rozvíjet tyto oblasti: kvantové doty (QD) ajámy (QW) (i napnuté) pro polovodičové lasery, případně detektory a Hallovy senzory na InSb (FzÚ), fotodetektory a fotovoltaika na QW (MFF), světlovody, ohmické i Schottkyho kontakty (VŠCHT), vlnovody, struktury pro optické senzory, diody a tranzistory z
Klíčová slova v anglickém jazyceNeuvedeno.
Hodnocení výsledkůV - Vynikající výsledky (s mezinárodním významem apod.). Zároveň byly splněny cíle a předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory.
Zhodnocení výsledků řešení českyOdborný přínos projektu spočívá především v rozvoji polovodičové technologie MOCVD, v ČR unikátní, a jejím využití k přípravě polovodičových kvantově rozměrných a fotonických struktur, pro aplikace v elektronice a optoelektronice. Technologický výzkum st
Rok dodání údajů do CEP2002
Systémové označení dodávky datCEP/2002/GA0/GA02GA/U/N/7:3
Datum dodání záznamu1.4.2003
Účastníci projektu
Počet příjemců1
Počet dalších účastníků projektu4
PříjemceFyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
ŘešitelIng. Eduard Hulicius, CSc. (státní příslušnost: CZ - Česká republika; tel.: 02-20318576; fax: 02-33343184)
Další účastník projektu / Organizační jednotka garantující řešeníUniverzita Karlova v Praze / Matematicko-fyzikální fakulta
ŘešitelDoc.RNDr. Jana Toušková, CSc. (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
Další účastník projektu / Organizační jednotka garantující řešeníMasarykova univerzita / Přírodovědecká fakulta
ŘešitelProf. RNDr. Josef Humlíček, DrSc. (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
Další účastník projektu / Organizační jednotka garantující řešeníČeské vysoké učení technické v Praze / Fakulta elektrotechnická
ŘešitelDoc. Ing. Josef Schröfel, DrSc. (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
Další účastník projektu / Organizační jednotka garantující řešeníVysoká škola chemicko-technologická v Praze / Fakulta chemické technologie
ŘešitelDoc. Ing. Ivan Hüttel, DrSc. (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
Účastník - subjekt nebo fyzická osobaUniverzita Karlova v Praze
Účastník - subjekt nebo fyzická osobaMasarykova univerzita
Účastník - subjekt nebo fyzická osobaVysoká škola chemicko-technologická v Praze
Účastník - subjekt nebo fyzická osobaČeské vysoké učení technické v Praze
Účastník - organizační jednotkaMasarykova univerzita / Pedagogická fakulta
Poznámka: Finance účastníků projektu jsou sledovány od roku 2007
Výsledky projektu v RIV
Počet výsledků v RIV49
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/03:02030150 - Charge transport study and spectral response of GaSb/GaAs heterojunctions prepared by MOVPE. (2003)
Výsledek druhu CRIV/68407700:21230/03:03094242 - Hierarchy of models in microsystems design (2003)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/03:02030096 - Vapor pressure of metal organic precursors. (2003)
Výsledek druhu JRIV/60461373:22340/03:00007828 - Vapour pressure of metal-organic precursors (2003)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/02:02020050 - Characterization of lasers with .delta.-InAs layers in GaAs. (2002)
Výsledek druhu JRIV/60461373:22340/02:00006524 - Laser Created Thin Film Sensors Based on Sn- and Indium Compounds (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:02020006 - Lasers with .delta. In As layers in GaAs. (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:02020005 - Magneto-photoluminescence study of electronic transitions in InAs/GaAS quantum dot layers. (2002)
Výsledek druhu DRIV/00216208:11320/02:00003564 - Method of the surface photovoltage extended to silicon wafers and solar cells of arbitrary thickness (2002)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/02:02020226 - Microwave GaAs Schottky diode. (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:02020087 - Ohm-Kirchhoff's law and screening in two-dimensional electron liquid. (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:02020064 - Photovoltage spectroscopy od InAs/GaAs quantum dot structures. (2002)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/02:00003089 - Photovoltage spectroscopy of InAs-GaAs quantum dot structures (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:02020088 - Polarization anisotropy of photoluminescence from multilayer InAs/GaAs quantum dots. (2002)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/02:02020137 - Raman scattering study of type II GaInAsSb/InAs heterostructures. (2002)
Výsledek druhu JRIV/60461373:22310/02:00007236 - Thermal stability of AuPt/n--GaAs Schottky contacts (2002)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/02:02020370 - Transport mechanism and spectral characteristics of GaSb/GaAs heterostructures prepared by MOVPE. (2002)
Výsledek druhu DRIV/00216208:11320/02:00003647 - Transport Mechanism and Spectral Characteristics of GaSb/GaAs heterostructures prepared by MOVPE (2002)
Výsledek druhu DRIV/60461373:22310/01:00004606 - The behaviour of Sn/Pd/n-GaAs metallization under thermal treatment (2001)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/01:00105449 - Diffusion length in CdTe by measurement of photovoltage spectra in CdS/CdTe solar cells (2001)
Výsledek druhu DRIV/60461373:22310/01:00004609 - The effect of Pt and AuTi cap layers on Ge/Pd ohmic contacts to n-GaAs (2001)
Výsledek druhu DRIV/60461373:22310/01:00004605 - Ge/Pd/Cr contacts to gallium arsenide (2001)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/01:00105009 - Improved photovoltaic method for measurement of minority carrier diffusion length applied to silicon solar cells (2001)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/01:02010456 - In As/GaAs multiple quantum-size structures grown by MOVPE. (2001)
Výsledek druhu JRIV/60461373:22310/01:00004608 - The influence of surface cleaning on the stability of Pd/GaAs contacts (2001)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/01:02010455 - Limits of mid-infrared semiconductor lasers. (2001)
Výsledek druhu DRIV/00216208:11320/01:00105672 - Method of surface photovoltage extended to silicon wafers and solar cells of arbitrary thickness (2001)
Výsledek druhu DRIV/00216208:11320/01:00105697 - Preparation and study of transport mechanism in GaAs/GaSb heterostructures (2001)
Výsledek druhu DRIV/60461373:22310/01:00004607 - Thermal treatment of Au/Pt and Au/Pt/Ti Schottky contacts on n- - GaAs (2001)
Výsledek druhu DRIV/00216208:11320/01:00105558 - Transport mechanism and spectral characteristics of GaSb GaAs heterostructures prepared by MOVPE (2001)
Výsledek druhu JRIV/60461373:22310/00:00004383 - Comparison of laser technology and RTA on Pt/Sn/Pd ohmic contacts to GaAs. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000451 - InAs/GaAs lasers with very thin active layer. (2000)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/00:02000026 - Magneto-photoluminiscence study of energy levels of self-organised InAs/GaAs quantum dots. (2000)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/00:02000455 - Mid-infrared semiconductor lasers. (2000)
Výsledek druhu ARIV/60461373:22310/00:00004405 - Modifikace metalického systému Pt/příměs/Pd na polovodičových strukturách výkonovým laserem (2000)
Výsledek druhu ARIV/60461373:22310/00:00004403 - The ohmic contacts on the layers for gas sensors (2000)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/00:02000105 - Polovodičové lasery pro střední infračervenou číst spektra. (2000)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/00:02000103 - Příprava a charakterizace kvantově-rozměrových struktur připravených z polovodičů A III B V technologií MOVPE. (2000)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/00:02000453 - Quantum size InAs/GaAs lasers - preparation and properties. (2000)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/00:02000106 - Struktury kvantových teček v systému InAs/GaAs, připravené metodou LP-MOVPE. (2000)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/00:02000104 - Surface photovoltage method to low - dimensional structures. (2000)
Výsledek druhu ARIV/60461373:22310/00:00004402 - The thermal annealing of AuPt Schottky contacts on the GaAs and AlGaAs. (2000)
Výsledek druhu ARIV/60461373:22310/00:00004404 - Thermal stability of Pt/doping element/Pd ohmic contacts to GaAs. (2000)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/99:02990469 - InAs/GaSb structures on GaSb: A raman scattering study. (1999)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/99:02990375 - Preparation and characterisation of A III B V semiconductor quantum-size structures by MOCVD technology. (1999)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/99:02990208 - Preparation and properties of InAs/GaAs lasers. (1999)
Výsledek druhu DRIV/68378271:_____/99:02990209 - Strained In x Ga 1-x As/GaAs multiple quantum wells grown by MOVPE. (1999)
Výsledek druhu JRIV/68378271:_____/99:02990483 - Strained InxGa1-xAs/GaAs multiplequantum wells grown by MOVPE. (1999)
Výsledek druhu DRIV/67985882:_____/99:13990158 - Thin carbon nitride films for integrated optical chemical sensors. (1999)
Tuto aplikaci pro Radu pro výzkum, vývoj a inovace provozuje Výpočetní a informační centrum Českého vysokého učení technického v Praze. Vyvíjí InfoScience Praha s.r.o.. Verze aplikace 1.6.15. Datové schéma ISVAV_WEB5_00318. Podpora uživatelů na e-mailové adrese podpora (zavináč) isvav (tečka) cz nebo telefonním čísle 224 234 797 (v pracovních dnech 8-16 hod.).