• česky
  • english
Přejít na obsah | Přejít na menu

Informační systém výzkumu, experimentálního vývoje a inovací
výzkum, vývoj a inovace podporované z veřejných prostředků ČR

    • Poskytovatelé podpory ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPO)
    • Programy výzkumu, vývoje a inovací (RPG)
    • Subjekty ve výzkumu, vývoji a inovacích (RPR)
  • Veřejné soutěže ve výzkumu, vývoji a inovacích (VES)
  • Projekty výzkumu, vývoje a inovací (CEP)
  • Výzkumné záměry (CEZ)
  • Výsledky výzkumu, vývoje a inovací (RIV)

GA102/06/0258 - Vysoce kvalitní semiizolační CdTe pro detektory záření gama (2006-2008, GA0/GA)

Údaje o projektu
Identifikační kódGA102/06/0258
Důvěrnost údajůS - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
Název v původním jazyceVysoce kvalitní semiizolační CdTe pro detektory záření gama
PoskytovatelGA0 - Grantová agentura České republiky (GA ČR)
ProgramGA - Standardní projekty (1993-…)
Kategorie VaVZV - Základní výzkum
Hlavní oborBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Vedlejší oborDL - Jaderné odpady, radioaktivní znečištění a kontrola
Zahájení řešení1.1.2006
Ukončení řešení31.12.2008
Datum posledního uvolnění účelové podpory25.4.2008
Číslo smlouvy102/06/0258
Poslední stav řešeníU - Ukončený projekt, tj. jednoletý nebo víceletý projekt, který skončil v předcházejícím roce, v příslušném roce sběru dat jsou dodány údaje vztahující se k jeho ukončení
Finance projektu
Období200620072008celkem
Výše podpory ze státního rozpočtu675 tis. Kč700 tis. Kč663 tis. Kč2 038 tis. Kč
Celkové uznané náklady675 tis. Kč700 tis. Kč663 tis. Kč2 038 tis. Kč
Typskutečně čerpanéskutečně čerpanéskutečně čerpané
Druh soutěžeVS - Veřejná soutěž ve výzkumu a vývoji
Veřejná soutěž ve výzkumu, vývoji a inovacíchSGA02006GA-ST - Veřejná soutěž (GA0/GA)
Cíle řešení v původním jazyceZájem o nechlazené přenosné detektory záření gama prudce narostl během posledních let vzhledem k aplikacím při zobrazování s vysokým rozlišením v medicíně a v oblasti bezpečnosti. Cílem projektu je příprava vysoce kvalitních semiizolačních krystalů CdTe a CdZnTe pro detektory záření gama metodou tuhnutí v teplotním gradientu. Pro růst krystalů bude použita unikátní aparatura vyvinutá ve Fyzikálním ústavu UK umožňující plnou kontrolu tlaku par Cd během celého procesu růstu až do tlaku 8atm. Vzhledem k tomu, že inkluze a nehomogenity mřížky působí jako pastˇová a rekombinační centra, lze očekávat, ze zvýšení krystalografické kvality povede k vysokým hodnotám součinu pohyblivosti a doby živita nosičů proudu. Naše teoretické výsledky ukazují, že reakce mezi bodovými defekty, které mění jejich elektrický stav, by měly umožnit přípravu vysokodporového materiálu s velmi nízkou hodnotou koncentrace hluboké hladiny v blízkosti středu zakázaného pásu, která zásadním způsobem ovlivňuje dobu života volných
Klíčová slova v anglickém jazyceCdTe; gamma ray detectors; defects
Hodnocení výsledkůV - Vynikající výsledky (s mezinárodním významem apod.). Zároveň byly splněny cíle a předpokládané výsledky uvedené ve smlouvě / rozhodnutí o poskytnutí podpory.
Zhodnocení výsledků řešení českyByl proveden systematický výzkum vlivu podmínek temperace (teplota, tlak par Cd nebo Te, doba temperace a způsob chlazení) na elektrické a optické vlastnosti CdTe:In. Podařilo se zvýšit stupeň pochopení procesů probíhajících během chlazení krystalů a vyp
Rok dodání údajů do CEP2009
Systémové označení dodávky datCEP09-GA0-GA-U/02:2
Datum dodání záznamu22.10.2009
Účastníci projektu
Počet příjemců1
Počet dalších účastníků projektu0
Příjemce / Organizační jednotka garantující řešeníUniverzita Karlova v Praze / Matematicko-fyzikální fakulta
ŘešitelDoc. Ing. Jan Franc, DrSc. (státní příslušnost: CZ - Česká republika; tel.: 221 911 334; fax: 224 922 797)
Finance účastníků projektu
Poznámka: Finance účastníků projektu jsou sledovány od roku 2007
Výše podpory ze státního rozpočtu
Účastník20072008
Univerzita Karlova v Praze / Matematicko-fyzikální fakulta700 tis. Kč663 tis. Kč
Celkové uznané náklady
Účastník20072008
Univerzita Karlova v Praze / Matematicko-fyzikální fakulta700 tis. Kč663 tis. Kč
Výsledky projektu v RIV
Počet výsledků v RIV20
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/09:00207170 - Compensation and carrier trapping in indium-doped CdTe: Contributions from an important near-mid-gap donor (2009)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/09:00206470 - Compensation and Photosensitivity in CdTe Doped With Indium (2009)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/09:00207200 - Compensation and trapping in large bandgap semiconductors: Tuning of the defect system in CdZnTe (2009)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/09:00206329 - Evaluation of the Concentration of Deep Levels in Semi-Insulating CdTe by Photoconductivity and TEES (2009)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/09:00206778 - Preparation of inclusion and precipitate free semi-insulating CdTe (2009)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/08:00100223 - Diffusion of charged defects in Tellurium-rich CdTe (2008)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/08:00100231 - Distribution of zinc, resistivity, and photosensitivity in a vertical Bridgman grown Cd1-xZnxTe ingot (2008)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/08:00101095 - Doping, compensation and photosensitivity of detector grade CdTe (2008)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/08:00100968 - Investigation of the origin of deep levels in CdTe (2008)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/08:00100156 - Reduction of Inclusions in (CdZn)Te and CdTe:In Single Crystals by Post-Growth Annealing (2008)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/08:00100621 - Thermoelectric effect spectroscopy and photoluminescence of high resistivity CdTe:In (2008)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/07:00004707 - Deep level defects in CdTe materials studied by thermoelectric effect spectroscopy and photo-induced current transient spectroscopy (2007)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/07:00004630 - Dependence of the Sn0/2+ charge state on the Fermi level in the semi-insulating CdTe (2007)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/07:00004344 - Dynamics of point defects in tellurium-rich CdTe (2007)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/07:00004844 - Influence of space charge and potential fluctuations on photoconductivity spectra of semiinsulating CdTe (2007)
Výsledek druhu DRIV/00216208:11320/07:00004659 - Photoluminescence study of deep levels in high-resistivity CdTe (2007)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/07:00004216 - Screening effects in high resistivity CdTe for X-ray and gamma ray detectors (2007)
Výsledek druhu JRIV/00216208:11320/07:00004055 - Simulation of photoelectric transport in high-resistivity CdTe for x-ray detectors (2007)
Výsledek druhu DRIV/00216208:11320/06:00002263 - Screening effects in high-resistivity CdTe (2006)
Výsledek druhu DRIV/00216208:11320/06:00002393 - Thermoelectric effect spectroscopy of deep levels in CdTe (2006)
Tuto aplikaci pro Radu pro výzkum, vývoj a inovace provozuje Výpočetní a informační centrum Českého vysokého učení technického v Praze. Vyvíjí InfoScience Praha s.r.o.. Verze aplikace 1.6.15. Datové schéma ISVAV_WEB5_00305. Podpora uživatelů na e-mailové adrese podpora (zavináč) isvav (tečka) cz nebo telefonním čísle 224 234 797 (v pracovních dnech 8-16 hod.).